pn结的整流机理是什么

交流电的电流电压均是一股正弦波,有正半波和负半波两部分,而PN结具单向导电性,只允许从一个方向通过,另一个方向截止,因此,负半波的部分就不能通过PN结,交流电通过PN结之后中,电流电压就变成的半波的脉动直流电.如图所示.

Pn结:采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将p型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结.工作原理:n型半导体中有大量的自由电子,而p型半导体中有大量的自由空穴.在零偏置时,没有电荷的定向移动.正向偏置电压v使得两种材料的费米能级分离.正向偏置电压增加了n区势能,降低了p区势能,从而使势垒降低.如果外电源提供的能量(ev)与禁带宽度Wg相同,则自由电子和自由空穴将有足够的能量进入结区.当自由电子与自由空穴在结区相遇时,自由电子将落到价带与空穴复合.在跃迁过程中,电子损失的能量将以发射一个光子的形式转变成光能.简单说:LED的辐射是在正向偏置条件下注入结区的电子和空穴复合而产生的.

1:空穴与电子带相等的电荷量,并且一个带正电一个带负电.2:平衡,不动我在3给你讲原理就知道了3:原理:pn结是由p型半导体和n型半导体构成的,这些我不讲,书上 有 定义.我重点说下形成过程.p区载流子包括:多子(空穴)少子

新产生的电子和空穴也向相反的方向运动,重新获得能量,又可通过碰撞,再产生电子空穴对,这就是载流子的倍增效应

pn结是构成二极管的,而npn或pnp是三极管,它是由两个pn结构成的. 这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍,但是其内部结构只有有个了解认识就行了,不用深入研究,没有实际的用途.还是主要学习pn结的作用. pn结作用:正向特性

PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础,目前常用的半导体功率器件如DMOS,IGBT,SCR 等的反向阻断能力都直接取决于 PN 结的击穿电压,因此,PN 结反向阻断特性的优劣直接决定了半导体功率器件的可靠性及适用范围.在 PN结两边

击穿电压PN结的击穿机理编辑当PN结的反向偏压较高时,会发生由于碰撞电离引发的电击穿,即雪崩击穿

此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流,PN结呈现高阻性

采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体(掺杂三阶元素,空位较多)与N型半导体(掺杂五阶元素,自由电子较多)制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,价电子因为扩散作用,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结

光电二极管的工作原理:光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件.它的核心部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,

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