pn结空间电荷区的形成过程

空间电荷区也叫耗尽区,是由施主离子和受主离子构成的.它们是电子和空穴耗尽之后留下的固定不动的正电/负电中心.

在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的 .N 型半导体中有许多可动的负电子

PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的,其接触界面称为冶金结界面. 在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结.在P型半

从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴,从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子,这就使空间电荷减少,内电场减弱

采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.

漂移电流是 在没有电场作用时,半导体中载流子在运动中不时遭到散射作杂乱无章的热运动,并不形成电流.当有电场存在时,使所有载流子沿电场力方向作定向运动.这种载流子在热运动的同时,由于电场作用而产生的沿电场力方向的定向运动称作漂移运动.

一般说明.P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散.这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷.两者正好形成自建电场,自建电场又使载流子漂移,漂移的方向正与以上扩散的方向相反.平衡时,载流子的漂移与扩散相等,自建电场区没有载流子,称之为空间电荷区.这样,PN结就形成了.当接上正向电压,削弱了自建电场,使载流子沿扩散的方向持续运动,就有了正向导通电流;当接上反向电压,相当于增强了自建电场,使载流子(少子)沿漂移的方向运动,漂移的电流很小,等同于反向截止.这就是PN结的原理.

应该是没错的.空间电荷区是由正负离子形成,阻止了空穴跟电子的扩散运动..所以电阻率高.应该可以这么理解.

二级管或者三级管(晶体管)上的重要部分,通常是在一块N型(P型)半导体的局部再掺入浓度较大的三价(五价)杂质,使其变为P型(N型)半导体,在P型半导体和N型半导体的交界面就形成了一个特殊的薄层,称为PN结

平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等,加正向偏压后,正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区自建电场的电压方向相反,等于削弱了自建电场,空间电荷区势垒降低,扩散电流超过了漂移电流,使PN结导通.随着正向电压的增大,空间电荷区长度缩短,势垒变低,电压变低.PN结指:采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction).PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础.

相关文档

pn结内建电场的形成过程
pn结阻挡层的形成过程
pn结的空间电荷区
热平衡pn结的形成过程
pn结的形成过程是怎样的
pn结空间电荷区电势分布图
pn结耗尽层形成过程图
空间电荷区的形成机理
realmemall.net
qimiaodingzhi.net
5689.net
qwrx.net
ndxg.net
电脑版