pn结非平衡载流子分布

用光的或电的方法对半导体施加外界作用,破坏了热平衡条件,使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态,则称为非平衡状态.处于非平衡状态的半导体,其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子

非平衡载流子是指处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度也不再是n0和p0(此处0是下标),可以比他们多出一部分.比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子.

两种:自由电子和空穴

非平衡载流子是相对本证来说的,本证的Np=Ne,非平衡有参杂或者外界能量所致,Np不等于Ne.集成电路是典型的例子,应用于衬底改性.另外,太阳能,LED等都离不开少子的功劳.总的来说,几乎所有的应用都基于非平衡载流子的作用.这是半导体的特性.

空间电荷区存在一个反向电场'载流子在其中是难以平衡的,所以少.至于载流子肯定在原来p区和n区,电荷守恒的

非平衡载流子就是由 于热激发或掺杂引起 的多于平衡时的载流 子

非平衡载流子就是半导体中比热平衡时所多出的额外载流子.一般,往半导体内部注入的非平衡载流子是少数载流子(多数载流子较难以注入).相反,从半导体内部抽出的载流子也是非平衡载流子,这也是少数载流子.当有外加光照等的作用使得半导体中增加(注入)了非平衡载流子后,该半导体系统即处于非平衡状态;这种状态是不稳定的,如果去掉这些产生非平衡载流子的作用后,那么该系统就应当逐渐恢复到原来的(热)平衡状态.这就意味着,在去掉外加作用以后,半导体中的非平衡载流子将逐渐消亡(即非平衡载流子浓度衰减到0).由于非平衡载流子的消亡主要是通过电子与空穴的相遇而成对消失的过程来完成的,所以往往就把非平衡载流子消亡的过程简称为载流子的复合.

这里的非平衡载流子指的就是非平衡载少子.虽然半导体受激发后也会产生非平衡多子,但决定半导体性质的是非平衡载少子.非平衡少子的数目=产生率*少子寿命=10^18cm^(-3)/s^(-1)*100us = 10^14cm^(-3)这个可以从这个微分

设两区内非平衡载流子的寿命为lμs,pn结截面积为10 -2 cm 2 .当外加正向电压V F =0.65V时, 电子越过禁带的隧道过程与质点穿过势垒的过程本质上相同,可用量子力学中的WKB近似来分析. 某n型半

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