pn结概念

采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点.

在一片完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使某一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,那么就在两种半导体交界面就形成了PN结:PN皆有单向导电的特性,即:争相导通,反向截止

PN结的形成 (1)当P型半导体和N型半导体结合在一起时,由于交界面处存在 载流子浓度的差异 ,这样电子和空穴都要 从浓度高的地方向浓度低的地方扩散 .但是,电子和空穴都是带电的,它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件

在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子,而P型区内空穴为多子自由电子为少子,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差

我来回答一种较为简洁的答案,满足以下三个条件的称为PN结:1、由P型和N型半导体接触而形成;2、在它们的交界面处形成空间电荷区;3、两边呈中性区.学完半导体器件物理再结合老师讲解总结出来的,如有表述不妥之处欢迎指正.

首先你要知道pn结是由p型半导体和n型半导体接触形成的.结深这个概念主要在太阳能电池的pn结里面提到的比较多,因为晶体硅电池的pn结是在p型沉底的硅片

1:空穴与电子带相等的电荷量,并且一个带正电一个带负电.2:平衡,不动我在3给你讲原理就知道了3:原理:PN结是由P型半导体和N型半导体构成的,这些我不讲,书上 有 定义.我重点说下形成过程.P区载流子包括:多子(空穴)少子

PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的.结深这个概念主要在太阳能电池的PN结里面提到的比较多,因为晶体硅电池的PN结是在P型沉底的硅片上表面上扩散一层很薄的N型半导体一般只有0.3-0.5um 这个N型薄层的厚度就叫做结深!

正向电压就是PN结的P侧接电源的正极,N侧接电源的负极;PN结就是P型半导体与N型半导体通过工艺结合一起,结合部就形成PN结,外接正向电压PN结呈低阻导通,外接反向电压PN结呈高阻不通

PN结的正偏和正向导通不是一个概念.1、PN结的正偏是一种连接方式,正向导通则是在正偏这种连接方式上形成电流通路.2、当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流.在电子

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