二极管的正向电阻多大

锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右.硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大).正向电阻越小越好,反向电阻越大越好.正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好

点接触型二极管属于高频管,面接触型二极管多为低频管.用万用表R*1k挡进行测试,一般正向电阻小于1K的多为高频管.硅高速开关二极管的正向电阻较大.用R*1k电阻挡测量,一般正向电阻值为5K~10K .快恢复、超快恢复二极管用 R*1k

二极管种类不同,正向电阻相差很大的.肖特基二极管应该是最小的.所以正向压降也是最小的.应该在电路中效率较高.你再参考下别人的答案,不过都是比较概括的.得看具体型号了.

通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右.硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大). 补充: 普通发光二极管的检测,用万用表检测.利用具有*10kΩ挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏.正常时,二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝.采纳哦

二极管是半导体器件,正向参数通常为导通电压,不宜用电阻表示,因为你用万用表的100、1K、10K档分别测量出来的得数是不一样的.

一般都是500

正向电阻是二极管的体电阻和结电阻之和,其中体电阻小于结电阻,那么正向电阻你可以认为是二极管正向导通时的结电阻,此时外场克服内场,促进多子运动,形成的电流大,我们认为其阻值较小,其一般和二极管的Q值有关.反向电阻其实也是结电阻,其值很大,是因为电压反偏时,内场强度大,阻碍多子的运动,只有少子形成少量的电流.所以认为其反向电阻的值很大.但是这个电阻是内场来阻碍电流的,要是你的反压太大,内场过强,内场会破坏晶体中的共价键,电子外溢,会使电流很大,这是其动态电阻可以认为很小.反偏主要有雪崩和齐纳.

硅材料二极管的正向电阻值为5kΩ左右 锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右

普通的整流管正向管压降在0.3V左右.你用万用表二极管档位量的是压降,但大部分人都习惯称之为内阻,该档位量普通整流管显示值在400---600之间,反向值无穷大,稳压管除外,高频肖特基管一般在300-90之间.二极管的内阻是变化的.随电压和电流变.

可以近似算出等效电阻,由datasheet可知二极管的典型正向压降及典型反向漏电流,则正向等效电阻约为:应用时的电流/正向压降;反向等效电阻约为:反向电压/漏电流.由计算可知,二极管正向电阻很小(几十欧或以下),而反向电阻很大(一般都在几百k欧以上),这两个阻值是动态变化的,与应用环境有关.

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