硅和锗二极管导通电压

硅材料二极管:导通电压约0.5~0.7v,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.锗材料二极管:导通电压约0.1~0.3v,温度升高后正向压降降低,反向电流增加.二极管主要功能是其单向导通.有高低频之分,还有快恢复与慢恢复之分,特殊的:娈容二极管,稳压二极管,隧道二极管,发光二极管,激光二极管,光电接收二极管,金属二极管(肖特基),,,用途:检波,整流,限幅,吸收(继电器驱动电路),逆程二极管(电视行输出中).

硅二极管导通电压0.7v 锗二极菅导通电压0.3V

锗二极管导通电压为0.1V-0.3V,一般取0.2V,死区电压为0.1V左右;硅二极管导通电压为0.5V-0.8V,一般取0.7V,死区电压为0.5V左右. 以上出自《模拟电子技术》故填CDAB

硅管死区电压0.5,锗管0.2;导通后,硅管0.7锗管0.3

1、锗材料二极管导通时,其两端电压为 0.3伏.硅材料二极管导通时,其两端电压为0.6伏 .2、反向击穿区3、管降大说明分压的电阻大,所以是大.4、是的,理想二极管反向电阻无穷大.5、是的,实际的二极管反向电阻有限,所以电压过大击穿后,电流迅速上升.6、是的.三极管有三种工作状态,是放大,截止和饱和 7、场效应管才是电压控制元件,而三极管是电流控制元件;标号是对的8、be正偏 bc反偏时处于放大区,做选c9、是的.共集电极 放大电路输出电阻是最小的10、是的,因为相位相同所以叠加增强,所以是正反馈.11、电容或光电耦合可以解决.12、数字电子集成电路.

"硅和锗两种二极管的特性曲线,两者有以下几点差异:1) 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多,锗管为mA级,硅管为nA级.这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级,所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓度低的多,故硅管的反向饱和电流Is很小.2) 在正向电压很小时,通过二极管的电流很小,只有正向电压达到某一数值Ur后,电流才明显增长.通常把电压Ur称为二极管的门限电压,也称为死区电压或阈值电压.由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is,所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压.一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V."

硅二极管的正向导通电压降为.导通电压降受通过电流大小的影响.作为“导通电压”,应该是指初始导通时的电压降,所以可取最小值,即:硅二极管正向导通电压为0.5伏;锗二极管正向导通电压为0.1伏.

0.7V 0.3V. 二极管没有交流、直流等效图.只有对三极管进行解析法计算时才用交流等效图.

硅二极管的正向导通电压约为0.6-0.7v,锗二极管导通电压约为0.2-0.3v;硅二极管的反向耐压可以做得很高,锗二极管反向耐压则低得多;硅二极管的反向漏电流很小,锗二极管的反向漏电流要大得多;硅二极管的温度系数比锗二极管大.另外就是锗二极管生产的型号实在很少.

准确应该说是:若是正向导通 就是看VF值 如你上述所说的0.7V但是逆向导通 就得看VR值 也就是反向电压值 最小是>20V 例如肖特基二极管

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