介绍pn结工作原理

1:空穴与电子带相等的电荷量,并且一个带正电一个带负电.2:平衡,不动我在3给你讲原理就知道了3:原理:PN结是由P型半导体和N型半导体构成的,这些我不讲,书上 有 定义.我重点说下形成过程.P区载流子包括:多子(空穴)少子

PN结是构成二极管的,而NPN或PNP是三极管,它是由两个PN结构成的.这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍,但是其内部结构只有有个了解认识就行了,不用深入研究,没有实际的用途.还是主要学习PN结的作用.PN结作用:正向特

最低0.27元开通文库会员,查看完整内容> 原发布者:JackyPECVD PN结工作原理结工作原理一.P-N结合.P(1)P型N型但若将数片P型半导体加以适当的组合,(2)但若将数片P或N型半导体加以适当的组合,则会产生各种不同的物理特性,而使半

在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体.此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 ↓多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区 ↓ 空间电荷区形成形成内电场 ↓ ↓

Pn结:采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将p型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结.工作原理:n型半导体中有大量的自由电子,而p型半导体中有大量的自由空穴.在零偏置时,没有电荷的定向移动.正向偏置电压v使得两种材料的费米能级分离.正向偏置电压增加了n区势能,降低了p区势能,从而使势垒降低.如果外电源提供的能量(ev)与禁带宽度Wg相同,则自由电子和自由空穴将有足够的能量进入结区.当自由电子与自由空穴在结区相遇时,自由电子将落到价带与空穴复合.在跃迁过程中,电子损失的能量将以发射一个光子的形式转变成光能.简单说:LED的辐射是在正向偏置条件下注入结区的电子和空穴复合而产生的.

此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流,可忽略扩散电流,PN结呈现高阻性

光电二极管的工作原理:光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件.它的核心部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,

pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体,也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理,所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它.比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的;而一个PNP结构则可以形成一个三极管,里面包含了两个PN结.二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件.拓展资料采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction).PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础.参考资料百度百科 PN结

(4)内电场是由多子的扩散运动引起的,伴随着它的建立将带来两种影响:一是内电场将阻碍多子的扩散,二是P区和N区的少子一旦靠近PN结,便在内电场的作用下漂移到对方,使空间电荷区变窄

由半导体理论可知,在正向恒流供电条件下,PN结的正向压降与绝对温度T有线性关系,即正向压降几乎随温度升高而线性下降,这就是PN结测温的理论依据.所以做温度传感器时,要注意施加正向恒流,例如10uA,这样才会比较准确,如果

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