平衡的pn结又称什么

pn结正向存在一个导通电压,反向存在一个击穿电压,所加正向电压小于导通电压时pn结呈现很大的电阻,即通过的电流很小,一旦高于导通电压,正向电流迅速增加;在反向时同样在所加反向电压小于击穿电压时,反向电流很小,当一旦高于击穿电压时,反向电流即迅速增加.从pn结的电流电压关系图上可以清楚看出两者的图形变化“相似”,区别在于正向的导通电压很低,硅半导体构成的pn结导通电压在0.7v左右,锗管的约为0.4v;而反向击穿电压一般数值都高于导通电压.

PN结(PN junction).采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点.一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ,P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结.PN结有同质结和异质结两种.用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ,由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结.可参见http://baike.baidu.com/view/49290.htm

耗尽层 电中性 空间电荷区 由n区指向p区

使一边形成N型半导体,另外一边形成P型半导体.在这两种导电性能相反的半导体交界上,形成了一个特殊的界面称为PN结.谢谢.

采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子

P区的多数载流子是空穴(正电荷),N区的多数载流子是电子(带负电).根据扩散原理,任何物质都具有从高浓度区域向低浓度区域移动的特性.那么,在P-N结界面也不例外,P区的空穴会向N区方向扩散,同样,N区的电子也会向P区方向扩散.这时,在交界面处,由于P区空穴流走了一部分,呈现出负的区域,同样,在N区呈现出正的区域.这就产生了一个静电场,这个静电场阻止了空穴继续运动,同样也阻止了电子进一步向P区的运动.这实现了P-N结的静电平衡.这个静电场对于硅材料来说大约为0.7V左右.

PN结的电荷密度越大,在扩散运动作用下,形成的内电场越大,漂移运动也就越强,阻止了扩散运动,这样导致载流子不能往更远的距离扩散不懂再问

一般是一个二极管中有1个PN结.但双向二极管里有2个PN结.但实质还是1个,因为它有3根引出线,实质是2个二极管.

1:空穴与电子带相等的电荷量,并且一个带正电一个带负电.2:平衡,不动我在3给你讲原理就知道了3:原理:pn结是由p型半导体和n型半导体构成的,这些我不讲,书上 有 定义.我重点说下形成过程.p区载流子包括:多子(空穴)少子

pn结的单向导电性:pn结加正向电压时,形成较大的正向电流;而在加反向电压时,反向电流很小,这种特性称为单向导电性.

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